| 项目行业 | 半导体 · 晶圆制造 |
| 洁净等级 | ISO 4级（十级）核心区 / ISO 5光刻区 |
| 项目面积 | 8,000 ㎡ |
| 建设周期 | 180 天 |
| 执行标准 | ISO 14644-1 · SEMI标准 · GB 50472 |
| 服务范围 | 洁净系统设计 · 施工 · 调试 |
客户为国内8寸晶圆制造企业，新建200mm晶圆产线FAB厂房洁净系统，核心光刻和薄膜工艺区需达到ISO 4级（十级）。
难题一：超高洁净度标准
ISO 4级要求≥0.1μm粒子<10个/m³，对FFU覆盖率、气密性、人员管理均提出极限要求。
难题二：精密温湿度控制
光刻工艺要求温度23±0.5℃、湿度45±5%，精度远超常规洁净室。
难题三：超大洁净体量
8000㎡FAB洁净室，洁净空调系统总风量超过200万m³/h，能耗控制是核心课题。
核心区FFU覆盖率95%，配合RCU循环空调机组精密控温控湿。FFU变频群控系统，根据产能负载自动调节风量，节能30%以上。
光刻区配置独立RCU循环机组，采用PID+前馈双控制算法，温度控制精度±0.3℃，湿度控制精度±3%RH，优于设计指标。
采用MAU+RCU+FFU三级空调系统架构，热回收效率>60%。高架地板回风+FAB夹层回风混合模式，系统能效比达COP 5.8。
超大型FAB洁净室，全程180天
以下数据来自ISO 14644认证检测报告
| 检测项目 | 设计标准 | 验收实测值 | 判定 |
|---|---|---|---|
| 核心区洁净度(≥0.1μm) | ISO 4 / ≤10 pc/m³ | 6.8 pc/m³ | ✔ 合格 |
| 核心区洁净度(≥0.5μm) | ISO 4 / ≤352 pc/m³ | 128 pc/m³ | ✔ 合格 |
| 温度（光刻区） | 23±0.5℃ | 23.1℃ ±0.3℃ | ✔ 合格 |
| 湿度（光刻区） | 45±5%RH | 44% ±3% | ✔ 合格 |
| FFU覆盖率 | ≥90% | 95% | ✔ 合格 |
| 系统COP | ≥5.0 | 5.8 | ✔ 合格 |
核心交付成果：
· 核心区稳定达到ISO 4级（十级）
· 光刻区温度精度±0.3℃，优于设计指标
· 800+台FFU群控系统节能>30%
· 系统COP达5.8，行业领先
· 首批试产晶圆良率达标
您的FAB洁净室需要专业方案？
森培环境提供从方案设计到验收交付的净化工程全流程服务 · 或致电 135-3318-9908 直接沟通
13533189908
